Transistor PNP 2N3906
Transistor PNP 2N3906

2N3906 Transistor (PNP)

2N3906 Transistor PNP (40V 200mA)

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Transistor 2N3906 – PNP de Señal TO‑92 (40V 200mA)

El 2N3906 es un transistor PNP de pequeña señal en encapsulado TO‑92, pensado para aplicaciones de baja potencia en conmutación y amplificación general. Trabaja con corrientes del orden de cientos de mA y tensiones de hasta unos 40 V, por lo que es ideal para manejar señales, pequeños relés, LEDs y etapas de control en circuitos lógicos y analógicos. Es el complemento PNP del popular 2N3904 NPN, y juntos forman una pareja muy usada en etapas push‑pull, inversores sencillos y circuitos educativos.

Características técnicas

Tipo de transistor: BJT PNP, uso general / pequeña señal.​

Encapsulado: TO‑92, montaje through‑hole.​

Tensión colector‑emisor máxima: 40 V.​

Tensión colector‑base máxima: 40 V.​

Tensión emisor‑base máxima: 5 V.​

Corriente de colector máxima: 200 mA continuos.​

Disipación máxima de potencia: aproximadamente 250–310 mW según fabricante.​

Ganancia de corriente en continua: valores típicos entre 60 y 300 según corriente y proveedor.​

Frecuencia de transición: alrededor de 250–300 MHz, adecuada para conmutación rápida y RF de baja potencia.​

Tensión de saturación colector‑emisor típica: en torno a 0,2–0,25 V.​

Rango de temperatura de operación: de aproximadamente −55 °C a +150 °C.​

Usos recomendados

Conmutación de cargas de baja corriente (por ejemplo, pequeños relés, zumbadores o unas pocas decenas de mA de LEDs) en configuración “high‑side”.​

Etapas de amplificación de señal de baja potencia en audio, sensores y circuitos analógicos.​

Inversores lógicos discretos y adaptadores de nivel entre microcontroladores y otros circuitos.​

Etapas push‑pull de pequeña señal en combinación con 2N3904.​

Circuitos educativos y prototipos en placa de pruebas donde se necesite un transistor PNP estándar, económico y fácil de encontrar.​

Recomendaciones

Como es un PNP de pequeña señal, úsalo preferentemente con corrientes bastante por debajo de 200 mA para ganar margen térmico y fiabilidad.​

Coloca siempre una resistencia en la base; calcula su valor suponiendo una hfe baja para asegurarte de que el transistor satura al conmutar cargas.​

En configuraciones típicas “high‑side”, conecta el emisor al positivo de la alimentación, el colector a la carga y controla la base desde el microcontrolador a través de una resistencia, recordando que se activa llevando la base cerca de masa.​

Vigila la disipación: el encapsulado TO‑92 no soporta mucha potencia, así que evita combinar corrientes altas con tensiones cercanas al máximo.​

Si necesitas más corriente o trabajar de forma continua cerca del límite, conviene pasar a un transistor de potencia media (por ejemplo, BD139/BD140) o a un MOSFET adecuado.​

TR2N3906PNP
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