MPF102
MPF102 transistor JFET de canal N muy usado como amplificador de RF/VHF y preamplificador de baja señal gracias a su alta impedancia de entrada y bajo ruido
Transistor JFET MPF102
JFET de canal N en modo depleción, pensado para amplificación de señales pequeñas y conmutación electrónica de baja potencia.
Destaca por su alta impedancia de entrada, baja corriente de puerta y baja figura de ruido, lo que lo convierte en un clásico en preamplificadores y etapas de RF.
Se presenta en encapsulado TO‑92 de tres patillas, fácil de montar en protoboard y PCB.
Características técnicas
Tipo de dispositivo: JFET N‑canal (depletion mode) de uso general.
Encapsulado: TO‑92 (MPF102G u otros equivalentes).
Tensión drenador‑source máxima: 25 V.
Corriente de drenador máxima: 10–20 mA según fabricante (típicamente 20 mA como máximo absoluto).
Disipación máxima de potencia: ≈ 350 mW.
Corriente drenador a puerta en corte: 2–20 mA con
Tensión de corte puerta‑source: entre −0,5 V y −7,5 V.
Tensión puerta‑source máxima: −25 V.
Usos recomendados
Preamplificadores de RF/VHF para antenas de radio AM/FM/SW/HF, mejorando la sensibilidad de receptores.
Preamplificadores de audio y buffers de alta impedancia para guitarras, piezos, micrófonos de contacto y sensores analógicos.
Conmutación analógica y resistencia controlada por tensión en filtros, control de tono y circuitos experimentales.
Etapas de entrada de alta impedancia en instrumentos de medida, osciloscopios DIY y front‑ends de sensores.
Circuitos de antena activa y amplificadores de señal débil en proyectos de radio y electrónica experimental.