Mosfet P IRF9540

IRF9540 – MOSFET P‑canal TO‑220 (−100 V, −19 A)

El IRF9540 es un MOSFET de potencia de canal P en encapsulado TO‑220, diseñado para conmutación y control de cargas en aplicaciones de media‑alta tensión hasta unos −100 V. Puede manejar corrientes continuas del orden de −19 A (más en modo pulsado), con una resistencia en conducción baja que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia con buena eficiencia. Es un transistor muy utilizado como interruptor en el lado positivo (high‑side), etapas de regulación y drivers en fuentes de alimentación, sistemas con batería y proyectos de electrónica avanzada.

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Características técnicas

Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia P‑canal (Power MOSFET).

Encapsulado: TO‑220 / TO‑220AB, montaje through‑hole.

Tensión drenador‑fuente máxima: −100 V.

​Corriente de drenador continua: hasta aproximadamente −19 A (IRF9540); variantes IRF9540N pueden llegar a −23 A con condiciones térmicas adecuadas.

​Corriente de drenador en modo pulsado: hasta alrededor de −72 A para IRF9540 (según datasheet y condiciones).

​Disipación máxima de potencia: alrededor de 140–150 W con disipador adecuado.

​Tensión puerta‑fuente máxima: ±20 V.

​Resistencia en conducción: valor típico alrededor de 0,2 Ω (IRF9540) o ~0,12 Ω en versiones IRF9540N.

​Carga de puerta total: del orden de 60–100 nC, apta para conmutación relativamente rápida con drivers adecuados.

Rango de temperatura de operación: −55 °C a +175 °C en la unión.

Usos recomendados

Conmutación “high‑side” de cargas alimentadas hasta 24–48 V (motores DC, tiras LED, relés de potencia) en sistemas de batería o fuentes de alimentación, usando el IRF9540 como interruptor en el positivo.

​Etapas de regulación y control en fuentes conmutadas, reguladores DC‑DC y sistemas de gestión de baterías donde se necesitan MOSFET P‑canal en el lado alto.

​Drivers de potencia para motores, inversores y UPS donde se combinan MOSFET N‑canal y P‑canal.

​Circuitos de driver de alta tensión gobernados por Arduino u otros microcontroladores mediante etapas de adaptación de nivel para la puerta.

​Sustitución en diseños existentes que requieran MOSFET P‑canal de hasta −100 V y corrientes medias‑altas en encapsulado TO‑220.

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Recomendaciones

Al usarlo como interruptor high‑side, recuerda que al ser P‑canal la puerta debe ir más baja que la fuente para activarlo; en sistemas de 12–24 V suele ser necesaria una etapa de driver (transistor o driver MOSFET dedicado) si lo controlas desde 5 V.

Ten en cuenta la carga de puerta y la velocidad de conmutación: en aplicaciones de conmutación rápida (PWM, fuentes conmutadas) es recomendable usar drivers de puerta específicos para minimizar pérdidas y calentamiento.

Coloca diodos y protecciones adecuadas si controlas cargas inductivas (motores, relés, solenoides) para evitar picos de tensión que puedan dañar el MOSFET.

​Si el diseño es nuevo y necesitas trabajar a lógica de 3,3 V con conmutación rápida, valora MOSFET de “lógica‑level” específicos; el IRF9540 funciona bien, pero no es un MOSFET optimizado para disparo directo desde 3,3 V.