KBP307

Puente de diodos KBP307

Puente de diodos monofásico de silicio, de 3 A, con 4 diodos internos conectados en puente de onda completa.

Encapsulado plástico KBP de baja huella, pensado para montaje en placa de circuito impreso con buena rigidez dieléctrica y baja fuga inversa.

Adecuado para fuentes AC‑DC, cargadores, control de motores y circuitos de alimentación de consumo y uso industrial ligero.

Características técnicas

Tipo: Puente de diodos monofásico de silicio.

Corriente media rectificada: 3A

Tensión inversa repetitiva máxima: 700V

Corriente de sobretensión: ≈80–100 A (pulso de 8,3 ms, media onda 60 Hz).

Tensión directa total: ≈1,1 V por rama a plena carga (≈2 × caída de diodo en el lazo).

Corriente de fuga inversa: del orden de 10 µA a tensión nominal y 25 ºC.

Rango de temperatura de operación: −55 ºC a +150 ºC.

Encapsulado: KBP de 4 pines, plástico ignífugo 94V‑0, apto para soldadura a alta temperatura.