1N5817

Diodo Schottky 1N5817

Diodo rectificador Schottky de unión metal‑semiconductor, con pérdidas de conducción muy reducidas y tiempos de conmutación prácticamente instantáneos.

Encapsulado axial DO‑41 compatible con protoboard y montaje THT.

Forma parte de la familia 1N5817/18/19, siendo el modelo de menor tensión inversa (20 V), optimizado para tensiones bajas y máxima eficiencia.

Características técnicas

Tipo: Diodo Schottky rectificador de baja caída de tensión.

Tensión inversa repetitiva máxima: 20 V.

Corriente directa media: 1 A (onda senoidal/rectificada con disipación adecuada).

Corriente de pico no repetitiva: ≈25–30 A (pulso de 8,3 ms, 60 Hz).

Caída de tensión directa: ≈0,32–0,45 V a 1 A (muy inferior a un diodo de silicio estándar).

Corriente inversa: típ. ≤1000 µA a 20 V y 25 ºC (aumenta con temperatura).

Tipo de conducción: portadores mayoritarios (poca carga almacenada, conmutación muy rápida).

Temperatura de unión máxima: hasta 125–150 ºC según fabricante.

Encapsulado: DO‑41 axial, marca en el cátodo.