1N4148

1N4148 Diodo de pequeña señal y conmutación rápida

Diodo de conmutación rápida de silicio, epitaxial, pensado para señales de baja potencia y conmutación a alta frecuencia.

Encapsulado de vidrio axial DO‑35, muy compacto y fácil de usar en protoboard y circuitos impresos.

Es uno de los diodos de señal más comunes del mercado, equivalente funcional al clásico 1N914 en la mayoría de aplicaciones.

Características técnicas

Tipo: Diodo de pequeña señal, fast switching.

Tensión inversa repetitiva máxima: 75–100 V según fabricante (habitualmente 100 V en las versiones actuales).

Corriente directa media: ≈150–200 mA.

Corriente directa continua: hasta 300 mA máx. (con derating térmico).

Corriente de pico no repetitiva: ≈1–2 A (pulsos muy cortos).

Tensión directa: ≈0,7–1,0 V a 10 mA (≈1 V a corrientes cercanas al máximo).

Tiempos de recuperación inversa: típicamente 4–8 ns (muy rápido comparado con diodos rectificadores).

Capacitancia de unión: ≈2–4 pF.

Rango de temperatura de operación: aprox. −65 ºC a +150/175 ºC según fabricante.

Usos recomendados

Conmutación rápida en circuitos digitales y lógicos, cambios de estado de alta velocidad.

Rectificación y demodulación de señal en RF/audio de baja potencia.

Circuitos de recorte, clamp, detección de pico y moldeado de forma de onda.

Pequeña señal de protección (por ejemplo, protección de entradas o caminos de realimentación) donde no se manejan grandes corrientes.